ACN Research宣布对其用于先进芯片制造的Ultra C SYS湿工作台清洁工具进行重大升级

ACN正在申请专利的氮气鼓泡技术可显着改善湿蚀刻均匀性并增强清洁性能

加利福尼亚州弗雷蒙特2025年7月24日（环球新闻网）--ACN Research，Inc.（“ACN”）（纳斯达克：ACMR）是半导体和高级封装应用的领先芯片和面板处理解决方案供应商，今天宣布对其Ultra C Inbox清洁工具进行重大升级。这些新的增强功能旨在满足高级节点制造流程的严格技术要求。

升级后的Ultra C Inbox采用正在申请专利的氮气（N2）鼓泡技术，可解决湿蚀刻均匀性差和副产物再生问题。这些问题经常出现在先进节点工艺中的高长宽比沟道和通孔结构中的磷酸的传统湿台工艺中。ACN正在申请专利的N2鼓泡技术提高了磷酸的传输效率，并促进了湿蚀刻浴中温度、浓度和流速的均匀性。湿蚀刻工艺提高的质量传递效率避免了副产物在芯片微结构中的积累，以防止再生长。该技术在制造3D RAM、3D逻辑和500+层3D与非器件的湿蚀刻工艺中具有巨大的应用潜力。

“由于性能是重中之重，ACN增强了其Ultra C Inbox工具，通过集成N2鼓泡技术来提供更好的结果，”ACN总裁兼首席执行官David Wang博士表示。“批量处理仍然是湿处理市场的重要组成部分，与单片湿清洁相比，具有成本效益、效率提高和化学品消耗更低等优势。”

升级后的Ultra C Tools的新功能和优点：

前瞻性陈述

本新闻稿中包含的某些陈述不是历史事实，可能是1995年《私人证券诉讼改革法案》所指的前瞻性陈述。“计划”、“预期”、“相信”、“预期”、“设计”等词语以及类似词语旨在识别前瞻性陈述。前瞻性陈述基于ASM管理层当前的预期和信念，涉及许多难以预测的风险和不确定性，可能导致实际结果与前瞻性陈述所述或暗示的结果存在重大差异。对其中某些风险、不确定性和其他事项的描述可在ACN向美国证券交易委员会提交的文件中找到，所有这些文件均可在www.sec.gov上获取。由于前瞻性陈述涉及风险和不确定性，因此实际结果和事件可能与ACN目前预期的结果和事件存在重大差异。请读者不要过度依赖这些前瞻性陈述，这些陈述仅限于本文日期。ACN没有义务公开更新这些前瞻性陈述，以反映本声明日期之后发生的事件或情况，或反映其对这些前瞻性陈述或非预期事件的发生的预期的任何变化。

关于ASM Research，Inc.

ACN开发、制造和销售半导体工艺设备，涵盖清洁、电解、无压力抛光、立式炉工艺、轨道、等离子体等离子体增强型以及芯片和面板级封装工具，实现先进和半关键半导体器件制造。ACN致力于提供定制、高性能、经济高效的工艺解决方案，半导体制造商可以在众多制造步骤中使用这些解决方案，以提高生产力和产品良率。欲了解更多信息，请访问www.acmr.com。

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