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ACM Research宣布对其Ultra C wb湿法台清洗工具进行重大升级,用于先进芯片制造

2025-07-24 20:05

ACM 正在申请专利的氮气鼓泡技术显著改善了湿蚀刻的均匀性并增强了清洁性能

美国加州弗里蒙特,2025年7月24日(环球新闻社)—— ACM Research, Inc. (“ACM”)(纳斯达克股票代码:ACMR),一家领先的半导体和先进封装应用晶圆及面板处理解决方案供应商,今日宣布对其Ultra C wb 清洁设备进行重大升级。这些新的增强功能旨在满足先进节点制造工艺的严苛技术要求。

升级版 Ultra C wb 采用正在申请专利的氮气 ( N2 ) 鼓泡技术,解决了湿法蚀刻均匀性差和副产品再生长的问题。这些问题经常出现在传统磷酸湿法蚀刻工艺中,例如在先进节点工艺中,用于高深宽比沟槽和通孔结构。ACM 正在申请专利的N2鼓泡技术提高了磷酸的传输效率,并促进了湿法蚀刻槽中温度、浓度和流速的均匀性。湿法蚀刻工艺中改进的传质效率可避免副产品在晶圆微结构中积聚,从而防止再生长。该技术在制造 3D DRAM、3D 逻辑和 500 层以上 3D NAND 器件的湿法蚀刻工艺中具有巨大的应用潜力。

ACM 总裁兼首席执行官 David Wang 博士表示:“ACM 始终将性能放在首位,因此我们通过集成氮气鼓泡技术增强了其 Ultra C wb 设备的性能,从而提供更佳的效果。批量处理仍然是湿法处理市场的重要组成部分,与单晶圆湿法清洗相比,它具有成本效益高、效率更高、化学品消耗更低等优势。”

升级版 Ultra C wb 工具的新功能和优点:

  • 增强蚀刻均匀性:与传统的湿法清洗批量工艺相比,Ultra C wb 平台配备了 N 2鼓泡技术,使晶圆内和晶圆间湿法蚀刻均匀性提高 50% 以上。
  • 增强的颗粒去除性能: Ultra C wb 平台的先进清洁能力已在先进节点工艺中特殊磷酸添加剂的有机残留物去除中得到证实。
  • 工艺能力扩展:升级后的平台模块适用于三层先进节点工艺,包括:堆叠氮化硅去除、通道孔多晶硅刻蚀和栅极线钨凹槽。它兼容多种化学溶液,例如磷酸、H 4蚀刻剂(一种通常用于金属薄膜蚀刻的混合酸溶液)、四甲基氢氧化铵 (TMAH)、标准清洁液 1 (SC 1 ) 和硅锗 (SiGe) 蚀刻液等。目前,客户正在开发更多层级和应用。
  • 专有设计:专利申请中的氮气鼓泡技术设计能够产生大尺寸、均匀性好的气泡,且气泡密度可精确控制。该氮气鼓泡核心技术可应用于盛美的Ultra C Tahoe(单晶圆和台式组合式清洗设备)平台,有效满足客户未来的工艺需求。

前瞻性陈述

本新闻稿中的某些陈述并非历史事实,而可能构成《1995年私人证券诉讼改革法》所定义的前瞻性陈述。“计划”、“预期”、“相信”、“预期”、“设计”等类似词语旨在识别前瞻性陈述。前瞻性陈述基于ACM管理层当前的预期和信念,包含许多难以预测的风险和不确定性,这些风险和不确定性可能导致实际结果与前瞻性陈述中明示或暗示的结果存在重大差异。ACM向美国证券交易委员会提交的文件中包含了对某些此类风险、不确定性和其他事项的描述,所有这些文件均可在www.sec.gov上查阅。由于前瞻性陈述涉及风险和不确定性,实际结果和事件可能与ACM当前预期的结果和事件存在重大差异。敬请读者不要过分依赖这些前瞻性陈述,这些陈述仅代表截至本新闻稿发布之日的观点。 ACM 不承担公开更新这些前瞻性声明以反映本日期之后发生的事件或情况或反映其对这些前瞻性声明的预期发生的任何变化或意外事件的发生的义务。

关于ACM Research, Inc.

ACM 开发、制造和销售半导体工艺设备,涵盖清洗、电镀、无应力抛光、垂直炉工艺、Track 工艺、PECVD 工艺以及晶圆级和面板级封装设备,助力先进和半关键半导体器件制造。ACM 致力于提供定制化、高性能、经济高效的工艺解决方案,帮助半导体制造商在众多制造步骤中提升生产力和产品良率。欲了解更多信息,请访问www.acmr.com

© ACM Research, Inc. ULTRA C 和 ACM Research 徽标是 ACM Research, Inc. 的商标。为方便起见,这些商标在本新闻稿中未使用™符号,但这并不意味着 ACM 不会在适用法律允许的最大范围内维护其对此类商标的权利。所有其他商标均为其各自所有者的财产。

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